卤化铅钙钛矿半导体因其在光电领域的潜在应用前景而被广泛关注。然而,到目前为止,研究主要局限于可见光谱范围。近年来,研究者提出掺杂稀土离子来赋予和调节卤化物钙钛矿光学性质的策略,但是铅毒性和固有不稳定性两个关键问题亟需解决。
基于此,具有低毒性和优异稳定性的无铅卤化物双钙钛矿被认为是稀土掺杂产生近红外发射的理想基体。课题组通过Na+/Bi3+共合金化实现Nd3+掺杂Cs2AgInCl6的局域结构调控,首次实现自陷激子发射和Nd3+近红外发射的同时增强。与不含Na+/Bi3+样品相比,其发光强度提高了648倍,近红外发光量子效率从0.16%显著提高到30.3%。这归因于Na+/Bi3+合金化诱导的协同效应,包括:局域占位对称性的调节、宇称禁戒吸收的破坏和电-声耦合的降低,进而导致通过自由激子而非自陷激子有效敏化Nd3+发射。
研究成果以《Boosting STE and Nd3+ NIR luminescence in Cs2AgInCl6 Double Perovskite via Na+/Bi3+-Induced Local Structure Engineering》为题发表于学术期刊《Advanced Functional Materials》。论文第一单位为福建师范大学,我校硕士研究生金世林为第一作者,福建师范大学吴天敏教授和陈大钦教授为本文共同通讯作者。研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金和福建省自然科学重点基金等项目资助。
原文链接:https://doi.org/10.1002/adfm.202304577