近年来，金属卤化物钙钛矿忆阻器由于其简单的金属-绝缘体-金属结构以及内部与生物相似的离子传导机制有望应用于电子神经元和突触，实现类脑计算硬件化。然而，钙钛矿忆阻器电极电极材料多采用昂贵的金 (Au) 电极和不稳定的银（Ag）。所以，找到一种可以使得钙钛矿忆阻器实现高稳定、高性能和低成本的电极材料迫在眉睫。
近日，福建师范大学李德力副教授，王越副教授提出一种银/铋（Ag/Bi）双层电极结构钙钛矿忆阻器。该忆阻器具有稳定的电阻开关，高开关比（102），近800次的耐久性，长达104 s的保持时间，以及高存储稳定性等。他们还提出一种内建电场影响离子迁移的新机制解释Ag/Bi双层电极钙钛矿忆阻器具有更低的开启电压和长保留时间。除此之外，该电极钙钛矿忆阻器也实现了重要的突触行为，如增强、抑制、长时记忆、短时记忆以及Heb学习规则等。最后将其应用于数字识别的峰值神经网络（SNN）中，在MNIST数据集上实现了86.6%的准确率。这项工作实现了Ag/Bi双层电极在提高钙钛矿忆阻器性能和应用方面的潜力，为其集成到神经形态计算系统建立了新途径。相关研究成果发表于《Advanced Functional Materials》上。
Stable halide perovskite memristor utilizing innovative silver/bismuth electrode as an alternative to gold
福建师范大学为第一单位，海峡柔性电子学院硕士生冯久超为第一作者，我校李德力副教授为第一通讯作者，西北工业大学黄维教授和我校王越副教授为共同通讯作者。研究成果得到国家自然科学基金、福建省科技规划项目，以及福建省中青年教师教育研究项目的资助。
文章连接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adfm.202420547